电子与封装2021，Vol.21Issue(11)：48-52,5.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.1106
不同厚度GaAs通孔技术研究
Research of the Backside Via-Hole for Different Thickness GaAs
闫未霞 1彭挺 1郭盼盼 1强欢 1莫中友 1孔欣1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第二十九研究所,成都 610036
- 折叠
摘要
关键词
砷化镓/厚度/深孔刻蚀/偏置功率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
闫未霞,彭挺,郭盼盼,强欢,莫中友,孔欣..不同厚度GaAs通孔技术研究[J].电子与封装,2021,21(11):48-52,5.
