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SOI高压LDMOS单粒子烧毁效应机理及脉冲激光模拟研究

师锐鑫周锌乔明王卓李燕妃

电子与封装2021，Vol.21Issue(11)：65-69,5.

电子与封装2021，Vol.21Issue(11)：65-69,5.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.1115

Study on Mechanism of Single Event Burnout Effect and Pulse Laser Simulation Experiment for High-Voltage SOI LDMOS

师锐鑫 ¹周锌 ¹乔明 ²王卓 ¹李燕妃²

作者信息

单粒子烧毁效应/SOI高压LDMOS/脉冲激光

信息技术与安全科学

师锐鑫,周锌,乔明,王卓,李燕妃..SOI高压LDMOS单粒子烧毁效应机理及脉冲激光模拟研究[J].电子与封装,2021,21(11):65-69,5.

广东省自然科学基金(2018A030310015) （2018A030310015）

ISSN：1681-1070

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