电子与封装2021，Vol.21Issue(11)：70-77,8.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.1113
MOSFET器件质量与可靠性的互补表征体系研究
Study of Complementary Characteristic Systems for the Quality and Reliability of MOSFET Devices
张阳 1王党会 1郑俊娜1
作者信息
- 1. 西安石油大学材料科学与工程学院,西安 710065
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摘要
关键词
MOSFET/伏安特性/低频噪声/质量与可靠性/互补表征体系分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张阳,王党会,郑俊娜..MOSFET器件质量与可靠性的互补表征体系研究[J].电子与封装,2021,21(11):70-77,8.
