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基于微增材技术制造的氧化铟镓锌薄膜晶体管及其性能

张奇 崔西会 方杰 项徽清 刘建国

电子元件与材料2021，Vol.40Issue(12)：1171-1175,5.
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电子元件与材料2021，Vol.40Issue(12)：1171-1175,5.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0403

基于微增材技术制造的氧化铟镓锌薄膜晶体管及其性能

Fabrication and properties of indium gallium zinc oxide thin film transistor fabricated by micro-additive technology

张奇 1崔西会 2方杰 2项徽清 1刘建国1

作者信息

  • 1. 华中科技大学 武汉光电国家研究中心 激光与太赫兹技术功能实验室, 湖北 武汉 430074
  • 2. 中国电子科技集团公司第二十九研究所, 四川 成都 610036
  • 折叠

摘要

关键词

薄膜晶体管/微增材制造/微笔直写/氧化铟镓锌有源层

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张奇,崔西会,方杰,项徽清,刘建国..基于微增材技术制造的氧化铟镓锌薄膜晶体管及其性能[J].电子元件与材料,2021,40(12):1171-1175,5.

基金项目

国家自然科学基金面上项目(51775209) （51775209）

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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