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Ni、Cu掺杂二维CuI结构的第一性原理计算

王一 宋娟 黄泽琛 江玉琪 罗珺茜 郭祥

电子元件与材料2021,Vol.40Issue(12):1202-1207,6.
电子元件与材料2021,Vol.40Issue(12):1202-1207,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0638

Ni、Cu掺杂二维CuI结构的第一性原理计算

First-principles calculation of Ni, Cu doped two-dimensional CuI structure

王一 1宋娟 2黄泽琛 1江玉琪 3罗珺茜 1郭祥1

作者信息

  • 1. 贵州大学 大数据与信息工程学院, 贵州 贵阳 550025
  • 2. 教育部半导体功率器件可靠性工程研究中心, 贵州贵阳 550025
  • 3. 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室, 贵州 贵阳 550025
  • 折叠

摘要

关键词

二维CuI/掺杂/电子结构/光学性质/第一性原理

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王一,宋娟,黄泽琛,江玉琪,罗珺茜,郭祥..Ni、Cu掺杂二维CuI结构的第一性原理计算[J].电子元件与材料,2021,40(12):1202-1207,6.

基金项目

国家自然科学基金(62065003) (62065003)

贵州省自然科学基金(QKH-[2020]1Y271) (QKH-[2020]1Y271)

教育部半导体功率器件可靠性研究中心开放项目(ERCMEKFJJ2019-(08)) (ERCMEKFJJ2019-(08)

电子元件与材料

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2028

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