电子元件与材料2022，Vol.41Issue(1)：83-88,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1284
基于InGaP/GaAs HBT工艺超宽带高线性度单片放大器
Ultra-wideband high linearity monolithic amplifier based on InGaP/GaAs HBT process
摘要
关键词
超宽带/高线性度/放大器/GaAs HBT/动态偏置/有源偏置/达林顿结构分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈仲谋,张博..基于InGaP/GaAs HBT工艺超宽带高线性度单片放大器[J].电子元件与材料,2022,41(1):83-88,6.基金项目
陕西省教育厅服务地方产业化专项(15JF029) （15JF029）
陕西省重点研发计划项目(2018ZDXM-GY-010,2017ZDXM-GY-044,2016KTCQ01-08) （2018ZDXM-GY-010,2017ZDXM-GY-044,2016KTCQ01-08）
西安市集成电路重大专项(201809174CY3JC16) （201809174CY3JC16）
