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SiC MOSFET栅极驱动电路研究综述

周泽坤曹建文张志坚张波

电子与封装2022，Vol.22Issue(2)：前插1-前插2,1-11,13.

电子与封装2022，Vol.22Issue(2)：前插1-前插2,1-11,13.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0201

Review of SiC MOSFET Gate Drivers

周泽坤 ¹曹建文 ¹张志坚 ¹张波¹

作者信息

电磁干扰噪声/能量损耗/栅驱动/SiC MOSFET

信息技术与安全科学

周泽坤,曹建文,张志坚,张波..SiC MOSFET栅极驱动电路研究综述[J].电子与封装,2022,22(2):前插1-前插2,1-11,13.

国家自然科学基金(62074028) （62074028）

ISSN：1681-1070

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