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碳化硅器件挑战现有封装技术

曹建武 罗宁胜 Pierre Delatte Etienne Vanzieleghem Rupert Burbidge

电子与封装2022,Vol.22Issue(2):12-24,13.
电子与封装2022,Vol.22Issue(2):12-24,13.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0202

碳化硅器件挑战现有封装技术

SiC Device to Challenge Existed Packaging Technologies

曹建武 1罗宁胜 1Pierre Delatte 2Etienne Vanzieleghem 2Rupert Burbidge3

作者信息

  • 1. CISSOID中国代表处,广东深圳518118
  • 2. CISSOID S.A.,Mont Saint Guibert,1435,Belgium
  • 3. CISSOID S.A.,Tarbes,65000,France
  • 折叠

摘要

关键词

功率器件/碳化硅/封装技术/连接技术/电力牵引驱动系统/基板/散热底板/热膨胀系数

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

曹建武,罗宁胜,Pierre Delatte,Etienne Vanzieleghem,Rupert Burbidge..碳化硅器件挑战现有封装技术[J].电子与封装,2022,22(2):12-24,13.

电子与封装

1681-1070

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