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用于GaN HEMT栅驱动芯片的快速响应LDO电路

陈恒江 周德金 何宁业 汪礼 陈珍海

电子与封装2022,Vol.22Issue(2):50-53,4.
电子与封装2022,Vol.22Issue(2):50-53,4.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0205

用于GaN HEMT栅驱动芯片的快速响应LDO电路

Fast-Transient LDO Circuit for GaN HEMT Gate Driving Circuit

陈恒江 1周德金 2何宁业 3汪礼 4陈珍海4

作者信息

  • 1. 无锡中微爱芯电子有限公司,江苏无锡214072
  • 2. 复旦大学微电子学院,上海200443
  • 3. 清华大学无锡应用技术研究院,江苏无锡214072
  • 4. 黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心,安徽黄山245041
  • 折叠

摘要

关键词

高电子迁移率晶体管/栅驱动/低压差线性稳压器/快速响应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈恒江,周德金,何宁业,汪礼,陈珍海..用于GaN HEMT栅驱动芯片的快速响应LDO电路[J].电子与封装,2022,22(2):50-53,4.

基金项目

安徽省重点研究与开发计划(201904b11020007) (201904b11020007)

安徽省高校自然科学研究项目(KJHS2020B07) (KJHS2020B07)

电子与封装

1681-1070

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