电子元件与材料2022，Vol.41Issue(2)：149-156,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1590
Se和Cd掺杂GaN电子结构与光学性质的第一性原理研究
First principles study on the electronic structure and optical properties of the selenium and cadmium doped GaN
摘要
关键词
GGA+U方法/电子结构/光学性质/光催化/GaN分类
数理科学引用本文复制引用
马磊,刘晨曦,潘多桥,雷博程,赵旭才,张丽丽..Se和Cd掺杂GaN电子结构与光学性质的第一性原理研究[J].电子元件与材料,2022,41(2):149-156,8.基金项目
伊犁师范大学科研项目(2020YSYB010) （2020YSYB010）
新疆维吾尔自治区高校科技计划项目(XJEDU2021Y044) （XJEDU2021Y044）
新疆自治区重点实验室开放课题(2021D04015) （2021D04015）
