电子元件与材料2022，Vol.41Issue(2)：157-163,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1462
抑制或消除RC-IGBT回跳现象的技术发展概述
Overview of technological development for suppressing or eliminating voltage snap-back phenomenon in RC-IGBT
摘要
关键词
绝缘栅双极型晶体管/逆导型/综述/回跳/技术分支/专利分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨贺..抑制或消除RC-IGBT回跳现象的技术发展概述[J].电子元件与材料,2022,41(2):157-163,7.基金项目
国家自然科学基金重点项目(21633012) （21633012）
