电子元件与材料2022，Vol.41Issue(2)：206-212,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1456
基于高摆率误差放大器的无片外电容LDO设计
Design of a capacitor-free LDO based on high slew-rate error amplifier
摘要
关键词
高摆率/误差放大器/瞬态增强/环路稳定性/无片外电容LDO分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
孙帆,黄海波,王卫华..基于高摆率误差放大器的无片外电容LDO设计[J].电子元件与材料,2022,41(2):206-212,7.基金项目
湖北省中央引导地方科技发展专项(2018ZYYD007) （2018ZYYD007）
