10kV SiC GTO器件特性研究

程琳罗佳敏龚存昊张有润唐毅门富媛都小利

电子与封装2022，Vol.22Issue(3)：P.12-17,6.

电子与封装2022，Vol.22Issue(3)：P.12-17,6.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0302

程琳 ¹罗佳敏 ²龚存昊 ²张有润 ²唐毅 ¹门富媛 ¹都小利¹

作者信息

4H-SiC/门极可关断晶闸管/脉冲放电特性

信息技术与安全科学

程琳,罗佳敏,龚存昊,张有润,唐毅,门富媛,都小利..10kV SiC GTO器件特性研究[J].电子与封装,2022,22(3):P.12-17,6.

国网安徽省电力有限公司培训中心科技项目(2017QC02)。（2017QC02）

ISSN：1681-1070

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