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基于遗忘效应忆阻器的LIF神经元电路研究

杨宁宁 王达 吴朝俊

电子元件与材料2022,Vol.41Issue(3):P.323-330,8.
电子元件与材料2022,Vol.41Issue(3):P.323-330,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1628

基于遗忘效应忆阻器的LIF神经元电路研究

杨宁宁 1王达 1吴朝俊2

作者信息

  • 1. 西安理工大学电气工程学院,陕西西安710048
  • 2. 西安工程大学电子信息学院,陕西西安710048
  • 折叠

摘要

关键词

忆阻器/PSpice建模/LIF神经元/忆阻神经元/忆阻神经网络

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨宁宁,王达,吴朝俊..基于遗忘效应忆阻器的LIF神经元电路研究[J].电子元件与材料,2022,41(3):P.323-330,8.

基金项目

国家自然科学基金(51507134) (51507134)

陕西省自然科学基础研究计划一般项目(面上)(2021JM-449)(2018JM5068)。 (面上)

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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