电子与封装2022，Vol.22Issue(4)：1-9,9.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0412
4H-SiC功率MOSFET可靠性研究进展
Research Progress on Reliability of 4H-SiC Power MOSFET
摘要
关键词
碳化硅/MOSFET/可靠性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
白志强,张玉明,汤晓燕,沈应喆,徐会源..4H-SiC功率MOSFET可靠性研究进展[J].电子与封装,2022,22(4):1-9,9.基金项目
国家重点研发计划(2020YFB0407800) （2020YFB0407800）
陕西省重点研发计划(2018ZDL-GY01-03,2020ZDLGY03-07) （2018ZDL-GY01-03,2020ZDLGY03-07）
