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超高压碳化硅N沟道IGBT器件的设计与制造

杨晓磊李士颜赵志飞李赟黄润华柏松

电子与封装2022，Vol.22Issue(4)：10-15,6.

电子与封装2022，Vol.22Issue(4)：10-15,6.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0413

Design and Fabrication of Ultra-High Voltage SiC N-Channel IGBT

杨晓磊 ¹李士颜 ¹赵志飞 ¹李赟 ¹黄润华 ¹柏松¹

作者信息

碳化硅/N沟道IGBT/超高压/载流子寿命提升技术

信息技术与安全科学

杨晓磊,李士颜,赵志飞,李赟,黄润华,柏松..超高压碳化硅N沟道IGBT器件的设计与制造[J].电子与封装,2022,22(4):10-15,6.

国家重点研发计划(2018YFB0905700) （2018YFB0905700）

ISSN：1681-1070

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