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超滤和活性剂协同作用对铜阻挡层CMP后缺陷的控制机理研究

崔志慧 王辰伟 刘玉岭 赵红东 续晨

电子元件与材料2022，Vol.41Issue(4)：P.392-397,6.
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电子元件与材料2022，Vol.41Issue(4)：P.392-397,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1631

超滤和活性剂协同作用对铜阻挡层CMP后缺陷的控制机理研究

崔志慧 1王辰伟 1刘玉岭 1赵红东 2续晨1

作者信息

  • 1. 河北工业大学电子信息工程学院,天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室,天津300130
  • 2. 河北工业大学电子信息工程学院,天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室,天津300130 光电信息控制和安全技术重点实验室,天津300308
  • 折叠

摘要

关键词

化学机械抛光/缺陷/活性剂/超滤工艺/协同作用

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

崔志慧,王辰伟,刘玉岭,赵红东,续晨..超滤和活性剂协同作用对铜阻挡层CMP后缺陷的控制机理研究[J].电子元件与材料,2022,41(4):P.392-397,6.

基金项目

国家自然科学基金(62074049) （62074049）

河北省自然科学基金(E2019202367)。 （E2019202367）

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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