4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件

张跃张腾黄润华柏松

电子元件与材料2022，Vol.41Issue(4)：P.376-380,5.

电子元件与材料2022，Vol.41Issue(4)：P.376-380,5.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.0020

张跃 ¹张腾 ¹黄润华 ¹柏松¹

作者信息

4H-SiC/台阶型沟槽/MOSFET/栅氧化层/尖峰电场/FOM值

信息技术与安全科学

张跃,张腾,黄润华,柏松..4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件[J].电子元件与材料,2022,41(4):P.376-380,5.

国家自然科学基金(12035019)。（12035019）

OA北大核心CSTPCD

ISSN：1001-2028

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