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As、Ga掺杂对Mn_(4)Si_(7)电子结构和光学特性的影响

朱挥 陈茜 罗玉玺

电子元件与材料2022,Vol.41Issue(4):P.369-375,7.
电子元件与材料2022,Vol.41Issue(4):P.369-375,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1807

As、Ga掺杂对Mn_(4)Si_(7)电子结构和光学特性的影响

朱挥 1陈茜 1罗玉玺1

作者信息

  • 1. 贵州大学大数据与信息工程学院,贵州贵阳550025
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摘要

关键词

Mn_(4)Si_(7)/第一性原理/掺杂/电子结构/光学性质

分类

数理科学

引用本文复制引用

朱挥,陈茜,罗玉玺..As、Ga掺杂对Mn_(4)Si_(7)电子结构和光学特性的影响[J].电子元件与材料,2022,41(4):P.369-375,7.

基金项目

贵州省科技厅、贵州大学联合资金项目(黔科合LH字[2014]7610)。 (黔科合LH字[2014]7610)

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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