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SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展

杨治美 高旭 李芸 黄铭敏 马瑶 龚敏

电子与封装2022，Vol.22Issue(5)：P.1-9,9.
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电子与封装2022，Vol.22Issue(5)：P.1-9,9.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0501

SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展

杨治美 1高旭 2李芸 1黄铭敏 1马瑶 1龚敏1

作者信息

  • 1. 四川大学物理学院微电子技术四川省重点实验室,成都610064 四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室,成都610064
  • 2. 四川大学物理学院微电子技术四川省重点实验室,成都610064
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅/辐照诱生缺陷/深能级缺陷/电学性能/重离子辐照

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨治美,高旭,李芸,黄铭敏,马瑶,龚敏..SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展[J].电子与封装,2022,22(5):P.1-9,9.

基金项目

国家自然科学基金(61704116、61974096) （61704116、61974096）

模拟集成电路重点实验室基金(6142802190505) （6142802190505）

国防科技工业抗辐照应用技术创新中心项目(KFZC2020021001)。 （KFZC2020021001）

电子与封装

1681-1070

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