电子元件与材料2022，Vol.41Issue(5)：P.531-538,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1645
基于物理结构的GaN HEMTs小信号等效电路的精确建模方法研究
摘要
关键词
GaN HEMTs/物理结构/小信号模型/参数提取/集肤效应分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
缪文韬,王军,刘宇武..基于物理结构的GaN HEMTs小信号等效电路的精确建模方法研究[J].电子元件与材料,2022,41(5):P.531-538,8.基金项目
四川省教育厅资助科研项目(18ZA0502)。 （18ZA0502）
