电子与封装2022，Vol.22Issue(6)：1-12,12.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0605
SiC功率器件辐照效应研究进展
Progress in the Study of Irradiation Effects of SiC Power Devices
刘超铭 1霍明学 1王雅宁 1魏轶聃 2王天琦 1齐春华 1张延清 1马国亮 1刘国柱 2魏敬和2
作者信息
- 1. 哈尔滨工业大学空间环境与物质科学研究院,哈尔滨 150001
- 2. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214072
- 折叠
摘要
关键词
SiC功率器件/肖特基势垒二极管/结势垒肖特基二极管/MOSFET/空间辐射效应/损伤机理分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘超铭,霍明学,王雅宁,魏轶聃,王天琦,齐春华,张延清,马国亮,刘国柱,魏敬和..SiC功率器件辐照效应研究进展[J].电子与封装,2022,22(6):1-12,12.
