电子元件与材料2022，Vol.41Issue(6)：621-626,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1765
一种具有子沟槽结构的屏蔽栅MOSFET的研究
A shielded gate trench MOSFET with sub-trench structures
摘要
关键词
屏蔽栅沟槽型MOSFET/电荷平衡/击穿电压/特征导通电阻/品质因数分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
朱晨凯,赵琳娜,顾晓峰,周锦程,杨卓..一种具有子沟槽结构的屏蔽栅MOSFET的研究[J].电子元件与材料,2022,41(6):621-626,6.基金项目
国家自然科学基金(61504049) （61504049）
江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX18_1855) （KYCX18_1855）
中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51510) （JUSRP51510）
