电子与封装2022，Vol.22Issue(7)：P.64-68,5.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0715
辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响
摘要
关键词
总剂量辐射电离/阈值电压/^(60)Co/X射线分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陶伟,刘国柱,宋思德,魏轶聃,赵伟..辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响[J].电子与封装,2022,22(7):P.64-68,5.基金项目
国家自然科学基金面上项目(62174150) （62174150）
江苏省自然科学基金面上项目(BK20211040)。 （BK20211040）
