电子与封装2022，Vol.22Issue(7)：P.25-28,4.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0702
片上SRAM物理不可克隆函数特性优化设计
高国平 1赵维林1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072
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摘要
关键词
静态随机存储器/物理不可克隆函数/上下电控制分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
高国平,赵维林..片上SRAM物理不可克隆函数特性优化设计[J].电子与封装,2022,22(7):P.25-28,4.
