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可变高应力氮化硅薄膜的内应力研究

孙建洁 张可可 陈全胜

电子与封装2022，Vol.22Issue(7)：P.53-56,4.
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电子与封装2022，Vol.22Issue(7)：P.53-56,4.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0710

可变高应力氮化硅薄膜的内应力研究

孙建洁 1张可可 1陈全胜1

作者信息

  • 1. 无锡中微晶园电子有限公司,江苏无锡214035
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摘要

关键词

应变硅/氮化硅/压应力/张应力

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

孙建洁,张可可,陈全胜..可变高应力氮化硅薄膜的内应力研究[J].电子与封装,2022,22(7):P.53-56,4.

电子与封装

1681-1070

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