电子与封装2022，Vol.22Issue(7)：P.49-52,4.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0708
200 mm硅外延片时间雾的产生机理及管控方法研究
刘勇 1仇光寅 1邓雪华 1杨帆 1金龙1
作者信息
摘要
关键词
硅外延/时间雾/环境阳离子/载片腔/氯化氢分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘勇,仇光寅,邓雪华,杨帆,金龙..200 mm硅外延片时间雾的产生机理及管控方法研究[J].电子与封装,2022,22(7):P.49-52,4.
