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周期数n对(BSZT/BTO)n薄膜微观结构和电学性能的影响

季航 胡睿 余萍

电子元件与材料2022,Vol.41Issue(7):673-679,7.
电子元件与材料2022,Vol.41Issue(7):673-679,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1749

周期数n对(BSZT/BTO)n薄膜微观结构和电学性能的影响

Influence of the period n on the microstructure and electrical properties of ( BSZT/BTO) n thin films

季航 1胡睿 1余萍2

作者信息

  • 1. 中国工程物理研究院 计量测试中心, 四川 绵阳 621000
  • 2. 四川大学 材料科学与工程学院, 四川 成都 610041
  • 折叠

摘要

关键词

射频磁控溅射/多周期/(BSZT/BTO) n/漏电流密度

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

季航,胡睿,余萍..周期数n对(BSZT/BTO)n薄膜微观结构和电学性能的影响[J].电子元件与材料,2022,41(7):673-679,7.

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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