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基于人工神经网络的GaN HEMTs建模与参数提取

刘宇武 王军

电子元件与材料2022,Vol.41Issue(7):713-718,6.
电子元件与材料2022,Vol.41Issue(7):713-718,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1736

基于人工神经网络的GaN HEMTs建模与参数提取

Modeling and parameter extraction of GaN HEMTs based on artificial neural network

刘宇武 1王军1

作者信息

  • 1. 西南科技大学 信息工程学院, 四川 绵阳 621010
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摘要

关键词

GaN HEMTs/参数/人工神经网络/大信号/非线性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘宇武,王军..基于人工神经网络的GaN HEMTs建模与参数提取[J].电子元件与材料,2022,41(7):713-718,6.

基金项目

四川省教育厅资助科研项目(18ZA0502) (18ZA0502)

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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