电子元件与材料2022，Vol.41Issue(7)：719-724,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.0049
基于常规CMOS工艺的单层多晶硅EEPROM单元设计
A single-poly EEPROM cell based on standard CMOS process
摘要
关键词
单层多晶硅EEPROM/常规CMOS工艺/MOS电容器/位粒度/富勒-诺德海姆隧穿效应/验证芯片分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
葛优,邹望辉..基于常规CMOS工艺的单层多晶硅EEPROM单元设计[J].电子元件与材料,2022,41(7):719-724,6.基金项目
湖南省教育厅项目(20C0028) （20C0028）
湖南省自然科学基金(2020JJ4627) （2020JJ4627）
