电子与封装2022，Vol.22Issue(8)：64-69,6.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0805
自热效应下P-GaN HEMT的阈值漂移机理
Threshold Shift Mechanism of P-GaN HEMT Under Self-Heating Effect
摘要
关键词
P-GaN HEMT/自热效应/阈值漂移/机理模型分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
匡维哲,周琦,陈佳瑞,杨凯,张波..自热效应下P-GaN HEMT的阈值漂移机理[J].电子与封装,2022,22(8):64-69,6.基金项目
国家自然科学基金(62174019) （62174019）
四川省科技计划(重点研发项目)(2020YFG0275) （重点研发项目）
广东省基础与应用基础基金(2019A1515011522) （2019A1515011522）
