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一种新型无电压折回现象的超结逆导型IGBT

吴毅 夏云 刘超 陈万军

电子与封装2022,Vol.22Issue(9):64-68,5.
电子与封装2022,Vol.22Issue(9):64-68,5.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0911

一种新型无电压折回现象的超结逆导型IGBT

Novel Superjunction Reverse Conducting IGBT Without Voltage Snapback Phenomenon

吴毅 1夏云 1刘超 1陈万军1

作者信息

  • 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
  • 折叠

摘要

关键词

逆导/超结/电压折回/IGBT/导通压降/关断损耗

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴毅,夏云,刘超,陈万军..一种新型无电压折回现象的超结逆导型IGBT[J].电子与封装,2022,22(9):64-68,5.

电子与封装

1681-1070

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