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一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究

周淼 汤亮 何逸涛 陈辰 周锌

电子与封装2022，Vol.22Issue(9)：74-79,6.
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电子与封装2022，Vol.22Issue(9)：74-79,6.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0915

一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究

Study on a Thin Layer SOI LIGBT Device with Partial Superjunction

周淼 1汤亮 1何逸涛 2陈辰 3周锌3

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214035
  • 2. 株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲 412000
  • 3. 电子科技大学功率集成技术实验室,成都 610054
  • 折叠

摘要

关键词

介质场增强理论/横向绝缘栅双极型晶体管/线性变掺杂技术/超结/击穿电压/比导通电阻

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

周淼,汤亮,何逸涛,陈辰,周锌..一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究[J].电子与封装,2022,22(9):74-79,6.

基金项目

国家自然科学基金(62004034) （62004034）

广东省自然科学基金(2022A1515012264) （2022A1515012264）

电子与封装

1681-1070

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