电子元件与材料2022，Vol.41Issue(8)：834-841,8.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.0384
一种具有多晶硅二极管栅极结构的槽栅IGBT设计
Design of a trench IGBT with poly silicon diodes gate structure
王波 1胡汶金 2赵一尚 2李泽宏 2任敏2
作者信息
- 1. 川投信息产业集团有限公司, 四川 成都 610000
- 2. 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054
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摘要
关键词
槽栅IGBT/多晶二极管/密勒电容/电磁干扰分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王波,胡汶金,赵一尚,李泽宏,任敏..一种具有多晶硅二极管栅极结构的槽栅IGBT设计[J].电子元件与材料,2022,41(8):834-841,8.
