电子与封装2022，Vol.22Issue(10)：P.66-75,10.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1003
增强型GaN HEMT器件的实现方法与研究进展
摘要
关键词
GaN HEMT器件/凹栅结构/p-GaN/薄势垒分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
穆昌根,党睿,袁鹏,陈大正..增强型GaN HEMT器件的实现方法与研究进展[J].电子与封装,2022,22(10):P.66-75,10.基金项目
国家自然科学基金(62004151)。 （62004151）
