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不同表面活性剂对铜互连阻挡层CMP一致性的影响

魏艺璇 王辰伟 刘玉岭 赵红东

电子元件与材料2022,Vol.41Issue(10):P.1108-1113,6.
电子元件与材料2022,Vol.41Issue(10):P.1108-1113,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.0140

不同表面活性剂对铜互连阻挡层CMP一致性的影响

魏艺璇 1王辰伟 1刘玉岭 1赵红东2

作者信息

  • 1. 河北工业大学电子信息工程学院,天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室,天津300130
  • 2. 河北工业大学电子信息工程学院,天津300130 光电信息控制和安全技术重点实验室,天津300308
  • 折叠

摘要

关键词

化学机械抛光/表面活性剂/去除速率/片内非均匀性/粗糙度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

魏艺璇,王辰伟,刘玉岭,赵红东..不同表面活性剂对铜互连阻挡层CMP一致性的影响[J].电子元件与材料,2022,41(10):P.1108-1113,6.

基金项目

国家自然科学基金(62074049) (62074049)

天津市科技计划项目(21YDTPJC00050) (21YDTPJC00050)

光电信息控制和安全技术重点实验室基金(2021JCJQLB055008)。 (2021JCJQLB055008)

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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