电子与封装2022，Vol.22Issue(11)：P.68-73,6.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1108
4H-SiC基FinFET器件的单粒子瞬态效应研究
摘要
关键词
单粒子瞬态/Fin FET器件/4H-Si C/抗辐射分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘保军,杨晓阔,陈名华..4H-SiC基FinFET器件的单粒子瞬态效应研究[J].电子与封装,2022,22(11):P.68-73,6.基金项目
国家自然科学基金(No.11975311,No.11405270)。 （No.11975311,No.11405270）
