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基于GaAs HBT有源自适应偏置的高线性度功率放大器设计

焦凌彬 姚凤薇

电子元件与材料2022,Vol.41Issue(11):1202-1208,7.
电子元件与材料2022,Vol.41Issue(11):1202-1208,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.0413

基于GaAs HBT有源自适应偏置的高线性度功率放大器设计

Design of high linearity power amplifier with active adaptive bias based on GaAs HBT

焦凌彬 1姚凤薇1

作者信息

  • 1. 上海电机学院 电子信息学院, 上海 201306
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摘要

关键词

射频功率放大器/有源自适应偏置电路/匹配网络/高线性度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

焦凌彬,姚凤薇..基于GaAs HBT有源自适应偏置的高线性度功率放大器设计[J].电子元件与材料,2022,41(11):1202-1208,7.

基金项目

上海市自然科学基金(17ZR1411100) (17ZR1411100)

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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