电子元件与材料2022，Vol.41Issue(12)：P.1374-1379,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.0097
多层瓷介高压电容器空洞缺陷引起的畸变电场有限元分析
梁栋程 1王淑杰 1季航1
作者信息
- 1. 中国工程物理研究院计量测试中心,四川绵阳621999
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摘要
关键词
畸变电场/麦克斯韦边值关系/有限元/空洞/介电常数/能带理论分类
通用工业技术引用本文复制引用
梁栋程,王淑杰,季航..多层瓷介高压电容器空洞缺陷引起的畸变电场有限元分析[J].电子元件与材料,2022,41(12):P.1374-1379,6.
