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新型抑制剂对铜膜CMP后碟形坑与蚀坑的影响

李子豪 周建伟 王辰伟 马慧萍 张月

电子元件与材料2022，Vol.41Issue(12)：P.1367-1373,7.
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电子元件与材料2022，Vol.41Issue(12)：P.1367-1373,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.0516

新型抑制剂对铜膜CMP后碟形坑与蚀坑的影响

李子豪 1周建伟 1王辰伟 1马慧萍 1张月1

作者信息

  • 1. 河北工业大学电子信息工程学院,天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室,天津300130
  • 折叠

摘要

关键词

化学机械平坦化(CMP)/碟形坑/蚀坑/3-巯基-1,2,4-三氮唑(TAT)/去除速率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李子豪,周建伟,王辰伟,马慧萍,张月..新型抑制剂对铜膜CMP后碟形坑与蚀坑的影响[J].电子元件与材料,2022,41(12):P.1367-1373,7.

基金项目

国家自然科学基金(62074049)。 （62074049）

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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