电子与封装2023，Vol.23Issue(1)：P.40-51,12.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0034
GaN垂直结构器件结终端设计
摘要
关键词
宽禁带半导体/氮化镓/垂直结构器件/二极管/结终端分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
徐嘉悦,王茂俊,魏进,解冰,郝一龙,沈波..GaN垂直结构器件结终端设计[J].电子与封装,2023,23(1):P.40-51,12.基金项目
国家重点研发项目(2022YFB3604302)。 （2022YFB3604302）
