电子与封装2023，Vol.23Issue(1)：P.71-82,12.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0046
GaN基增强型HEMT器件的研究进展
摘要
关键词
GaN/高电子迁移率晶体管/增强型器件/栅槽结构分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
黄火林,孙楠..GaN基增强型HEMT器件的研究进展[J].电子与封装,2023,23(1):P.71-82,12.基金项目
国家自然科学基金(61971090) （61971090）
辽宁省应用基础研究计划(2022JH2/101300259) （2022JH2/101300259）
大连市科技创新基金(2022JJ12GX011)。 （2022JJ12GX011）
