电子与封装2023，Vol.23Issue(1)：P.83-95,13.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0047
宽禁带半导体碳化硅IGBT器件研究进展与前瞻
张峰 1张国良1
作者信息
- 1. 厦门大学物理科学与技术学院,厦门361005
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摘要
关键词
碳化硅/双极型/导通电阻/关断损耗分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张峰,张国良..宽禁带半导体碳化硅IGBT器件研究进展与前瞻[J].电子与封装,2023,23(1):P.83-95,13.基金项目
国家自然科学基金(12142406)。 （12142406）
