电子与封装2023，Vol.23Issue(1)：P.109-120,12.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0049
高压SiC MOSFET研究现状与展望
孙培元 1孙立杰 1薛哲 1佘晓亮 1韩若麟 1吴宇薇 1王来利 1张峰2
作者信息
- 1. 西安交通大学电气工程学院,西安710049
- 2. 厦门大学物理科学与技术学院,福建厦门361005
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摘要
关键词
SiC/MOSFET/品质因数/终端结构分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
孙培元,孙立杰,薛哲,佘晓亮,韩若麟,吴宇薇,王来利,张峰..高压SiC MOSFET研究现状与展望[J].电子与封装,2023,23(1):P.109-120,12.
