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面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件

黄森 张寒 郭富强 王鑫华 蒋其梦 魏珂 刘新宇

电子与封装2023,Vol.23Issue(1):P.11-21,11.
电子与封装2023,Vol.23Issue(1):P.11-21,11.DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0021

面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件

黄森 1张寒 1郭富强 1王鑫华 1蒋其梦 1魏珂 1刘新宇1

作者信息

  • 1. 中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心,北京100029 中国科学院大学集成电路学院,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

氮化镓/功率电子器件/AlGaN/GaN异质结/超薄势垒/增强型/功率集成

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

黄森,张寒,郭富强,王鑫华,蒋其梦,魏珂,刘新宇..面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件[J].电子与封装,2023,23(1):P.11-21,11.

基金项目

中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSW-JSC012) (QYZDB-SSW-JSC012)

国家自然科学基金项目(62074161,6221101004,62004213,U20A20208) (62074161,6221101004,62004213,U20A20208)

国家重点研发计划(2018YFE0125700) (2018YFE0125700)

北京市科技计划国际科技合作项目(Z201100008420009,Z211100007921018)。 (Z201100008420009,Z211100007921018)

电子与封装

1681-1070

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