电子元件与材料2023，Vol.42Issue(1)：45-49,62,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.1704
p型接触界面氧影响SiC APD暗电流的机制研究
Study on the mechanism of p-type contact interface oxygen on dark current of SiC APD
摘要
关键词
SiC/雪崩光电二极管/暗电流/界面氧分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨成东,苏琳琳..p型接触界面氧影响SiC APD暗电流的机制研究[J].电子元件与材料,2023,42(1):45-49,62,6.基金项目
国家自然科学基金(62106111) （62106111）
无锡学院引进人才科研启动专项经费资助(2021r011,2021r012) （2021r011,2021r012）
