电子元件与材料2023，Vol.42Issue(1)：50-56,7.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.1374
具有多场限环结构的SiC LDMOS击穿特性研究
Breakdown characteristics of SiC LDMOS with multi-field limiting ring structure
摘要
关键词
SiC LDMOS/场限环/漂移区掺杂浓度/击穿电压/表面电场分布分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
彭华溢,汪再兴,高金辉,保玉璠..具有多场限环结构的SiC LDMOS击穿特性研究[J].电子元件与材料,2023,42(1):50-56,7.基金项目
甘肃省科技厅计划项目(21YF5GA058) （21YF5GA058）
