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高频驱动GaN-LED的频率响应特性研究

郑俊杰 郭家玮 李文豪 吴朝兴 郭太良

电子元件与材料2023，Vol.42Issue(1)：57-62,6.
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电子元件与材料2023，Vol.42Issue(1)：57-62,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.1304

高频驱动GaN-LED的频率响应特性研究

Frequency Response Characteristics of High-Frequency Driven GaN-LEDs

郑俊杰 1郭家玮 1李文豪 1吴朝兴 1郭太良2

作者信息

  • 1. 福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350108
  • 2. 中国福建光电信息科学与技术创新实验室(闽都创新实验室) ,福建 福州 350108
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摘要

关键词

GaN-LED/频率响应特性/发光强度/载流子迁移

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郑俊杰,郭家玮,李文豪,吴朝兴,郭太良..高频驱动GaN-LED的频率响应特性研究[J].电子元件与材料,2023,42(1):57-62,6.

基金项目

国家重点研发计划(2021YFB3600404) （2021YFB3600404）

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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