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超临界流体改善IGZO薄膜晶体管光电特性研究

董礼 王明格 张冠张

电子元件与材料2023,Vol.42Issue(1):63-68,6.
电子元件与材料2023,Vol.42Issue(1):63-68,6.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.1392

超临界流体改善IGZO薄膜晶体管光电特性研究

Electrical and optical performance improvement of IGZO thin film transistors by supercritical fluids treatment

董礼 1王明格 2张冠张2

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第四十三研究所,安徽 合肥 230088
  • 2. 北京大学深圳研究生院信息工程学院,广东 深圳 518055
  • 折叠

摘要

关键词

薄膜晶体管/超临界流体/缺陷/迁移率/光电特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

董礼,王明格,张冠张..超临界流体改善IGZO薄膜晶体管光电特性研究[J].电子元件与材料,2023,42(1):63-68,6.

基金项目

国家自然科学基金(面上项目)(62074007) (面上项目)

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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