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反铁磁自旋电子器件及其研究进展

粟傈 童良乐 李晴 王可欣

电子元件与材料2023,Vol.42Issue(2):127-136,10.
电子元件与材料2023,Vol.42Issue(2):127-136,10.DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.1445

反铁磁自旋电子器件及其研究进展

Research progress of spintronic devices based on antiferromagnet

粟傈 1童良乐 1李晴 1王可欣1

作者信息

  • 1. 首都师范大学 信息工程学院,北京 100048
  • 折叠

摘要

关键词

反铁磁/自旋调控/综述/自旋电子器件/存储与逻辑器件/类脑器件

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

粟傈,童良乐,李晴,王可欣..反铁磁自旋电子器件及其研究进展[J].电子元件与材料,2023,42(2):127-136,10.

基金项目

北京市自然科学基金(4194073) (4194073)

北京市科技计划一般项目(KM202110028010) (KM202110028010)

电子元件与材料

OA北大核心CSTPCD

1001-2028

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